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BAE系统公司新型数字集成电路运行速度创新记录

http://jczs.sina.com.cn 2004年04月21日 17:07 航空工业科技信息中心

  [英国《防务系统日刊》2004年4月15日报道]由BAE系统公司领导的项目组开发出一种可以改善固体综合集成电路的速度、集成度和能量消耗的新一代晶体管技术。

  由BAE系统公司信息和电子战系统(IEWS)部、Vitesse半导体集团和伊利诺斯州大学组成的项目组目前验证了一种时钟频率达创记录的152GHz的集成电路。这种铟磷化物(InP)异体连接双极晶体管(HBT)是根据美国国防高级研究计划局(DARPA)的频率灵敏数字合成晶体管
(TFAST)计划而开发的。DARPA项目经理兼副总裁指出,152GHz静态分配器的验证是为美国国防部提供新型高性能混合信号集成电路所进行的集成电路技术开发的一个关键里程碑。DARPA频率灵敏数字合成晶体管计划的目的是显著提高铟磷化物异体连接双极晶体管微型集成电路性能,同时降低能量消耗。

  BAE系统公司技术开发经理指出,该技术可以用于开发低成本、可编程电子战干扰机、侦察传感器、用于保密通信的频率捷变软件电台等新型子系统。Vitesse公司开发出了用于新型高速集成电路(由BAE系统公司设计)所需的铟磷化物异体连接双极晶体管处理程序。采用Vitesse公司开发的半导体处理程序,BAE系统公司设计的高速分频集成电路打破了150GHz的静态运行速度记录。BAE系统公司负责先进系统和技术的副总裁表示,该项目的成功不仅是技术上的突破,同时也是DARPA、美国三军、工业界以及院校通力合作的典范。


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