BAE系统公司创数字集成电路运行速度新记录 | |
---|---|
http://jczs.sina.com.cn 2004年04月19日 22:56 中国航空信息网 | |
[英国《防务新闻》2004年4月15日]由BAE系统公司领导的项目组开发出一种可以改善固体综合集成电路的速度、集成度和能量消耗的新一代晶体管技术。 由BAE系统公司信息和电子战系统(IEWS)部、Vitesse半导体集团和Illinois大学组成的项目组目前验证了一种时钟频率达创记录的152GHz的集成电路。这种铟磷化物(InP)异体连接双极晶体管(HBT)是根据美国国防预先研究计划局(DARPA)的频率灵敏数字合成晶体管( 美国国防预先研究计划局项目经理兼副总裁指出,152 GHz静态分配器的验证是为美国国防部提供新型高性能混合信号集成电路所进行的集成电路技术开发的一个关键里程碑。美国国防预先研究计划局的频率灵敏数字合成晶体管计划的目的是显著提高铟磷化物异体连接双极晶体管微型集成电路性能,同时降低能量消耗。BAE系统公司技术开发经理指出,该技术可以用于开发低成本、可编程电子战干扰机、侦察传感器、用于保密通信的频率捷变软件电台等新型子系统。Vitesse公司开发用于制造BAE系统公司设计的新型、高速集成电路所需的铟磷化物异体连接双极晶体管处理程序。采用Vitesse公司开发的半导体处理程序,BAE系统公司设计的高速分频集成电路打破了150 GHz的静态运行速度记录。 BAE系统公司负责先进系统和技术的副总裁表示,该项目的成功不仅是技术上的突破,同时也是美国国防预先研究计划局、三军、工业界以及院校通力合作的典范。(黄培生、责编洪山) |