[《IT快讯》2001年12月13日报道]最近，美国两家新兴的风险企业采用新工艺制造技术推出了40千兆比特/秒以上光通信芯片产品。

　　美国InPhi公司正在开发50千兆比特/秒光通信芯片，该芯片与10千兆比特/秒(SONET的OC-192)芯片尺寸相同，耗电量也相差无几。最初的产品制造技术计划采用添加碳的InP异质结双极晶体管(HBT)。但是InPhi公司表示并不拘泥于这种添加碳的InP HBT制造技术。该产 品包括4对1和1对4的多路复用器集成电路(IC)。速度可达50千兆比特/秒以上，而耗电量却在900毫瓦以下。包括调制器驱动器在内，该产品将于2001年内供应工业样品。

　　与此相反，美国Acelo Semiconductor公司正在利用GaAs技术的模拟稳定型HEMT(PHEMT)制造40千兆比特/秒(OC-768)光通信芯片。40千兆比特/秒产品中备有调制器驱动器和阻抗前置放大器(TIA)。其中调制器驱动器以12千兆比特/秒的速度运行时其峰峰输出电压为5伏。该公司虽然认为在模拟处理芯片中GaAs PHEMT是当前最合适的产品，但在新一代芯片中计划采用InP PHEMT制造技术。InP HBT制造技术适用于数字处理芯片和数字模拟混载芯片。